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1、工作在放大区的判断：
其发射结(b、e极之间)为正偏，集电结(b、c极之间)为反偏。对于小功率的NPN型硅，呈现为Vbe≈0.7V，Vbc<0V(具体数值视电源电压Ec与有关元件的数值而定):对于NPN型锗管，Vbe≈0.2V，Vbc<0V。
对于PNP型的晶体三极管，上述电压值的符号相反，即小功率PNP型硅管Vbe≈-0.7V,Vbc>0V,对于小功率 PNP型锗管，Vbe≈-0.2V，Vbc>0V。如果在检测电路中发现晶体三极管极间电压为上述数值，即可判断该三极管工作在放大区，由该三极管组成的这部分电路为放大电路。
另外，在由晶体管组成的振荡电路中，其三极管也是工作在放大区，但由于三极管的输出经选频谐振回路并同相反馈到其b、C极之间，使电路起振，那么b、e极之间的电压Ube，对于硅管来说就小于0.7V 了(一般为0.2V左右)。
如果检测出Vbe<0.7V，且用导线短接选频谐振电路中的电感使电路停振时Vbe0.7V,则可判断该电路为振荡电路。
2、工作在截止区的判断：
三极管工作在截止区时，发射结与集电结均为反偏，而在实际的电路中，发射结也可以是零偏置。这样对于小功率NPN型三极管，呈现为Vbe≤0，Vbc<0V(具体数值主要决定于电源电压Ec)。
对于小功率NPN型三极管，呈现为Vbe≥OV，Vbc≥0V，此时的 Vce≈Ec，如果我们检测出电路中晶体三极管间电压为上述情况，则可判断该三极管工作在截止区。
3、工作在饱和区的判断：
三极管工作在饱和区时，其发射结与集电结均为正偏。对于小功率NPN型硅管，呈现为Vbe多0.7V(略大于工作在放大区时的数值)，Vbc>0V (不大于Vbe的值);对于小功率NPN型锗管，类似地有Vbe≥0.2V(略大于工作在放大区时的值)，Vbc>OV (不大于Vbe的值)。
对于PNP型的晶体管，上述电压值的符号相反，即小功率的PNP型硅管，Vbe≥-0.7V，Vb<0V(不小于Vbe的值;小功率PNP型锗管，Vbe≤-2V，Vbc<0V(不小于Vbe的值)。
一般情况下，此时的Vce≈0.3V(硅管)或 Vce≈0.1V(锗管)，如果我们检测出电路中的晶体三极管极间电压符合上述情况，则可判断该三极管工作在饱和区。
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晶体三极管有三个工作区，即放大区、截止区、饱和区。电路设计时，可根据电路的要求，让晶体管工作在不同的区域以组成放大电路、振荡电路、开关电路等，如果三极管因某种原因改变了原来的正常工作状态，就会使电路工作失常。
电子产品出现故障，这时就要对故障进行分析，首要的工作就是按前述方法检查三极管的工作状态。
为了对晶体管工作在三个区域的情况有一个较明确的认识，附表列出了有关具体情况，供参考理解。对于具体的检测工作，要注意两点问题：
一是最好使用内阻较大的数字万用表进行测量，以减少测量误差，同时避免直接测量时因万用表的内阻小引起三极管工作状态的改变；
二是最好分别测量晶体三极管各极对地的电压，然后计算出Ube.Ubc或Uce的值，避免诱发电路故障的可能性。
参考资料来源：百度百科-三极管
首先根据三极管的型号得到是PNP、NPN型管，再根据电路分copy析出三极管工作在放大状态还是开关状态。然后根据三极管的静态管脚电压与正常工作时的电压进行比较，在允许偏差范围内可基本判断为正常。开关状态时最好采用指针式万用表，否则可能知会因为干扰道而产生误判。
如果仅判断工作状态，一般测量基极电压，开关状态基极会有负偏压，放大状态为正偏压。（NPN型）
从图来看，可以测集电极抄电压来判断：
集电极电压接近或等于14V，则三极管截止；
集电极电压接近或等于0V，则三极zhidao管饱和；
集电极电压在7V左右，则三极管处于放大状态，过高过低都会使被放大的信号产生失真。
满意请采纳。
一般是通过测量晶体管的极间zd电压来判别电路中晶体管的工作状态。
当VBE<O.5V时，晶体管处于截止状态，为使截止可靠，常使VRE≤0，此时发射结和集电结均处于反向偏置状态。
当VCE=VBE时，晶体管处于饱和状态。而当VCE<VRE时，发射结与集版电结均处于正向权偏置状态，此时晶体管工作在过饱和状态。
当Vc>VB>VE时，发射结处于正向偏置状态，集电结处于反向偏置状态，此时晶体管工作在放大状态。