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主要是刻的，现在的U都上亿晶体管，怎么可能装得了。
光刻蚀
这是目前的CPU制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤，为什么这么说呢？光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕，由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格，需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜。刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程。设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量，而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步(每一步进行一层刻蚀)。而且每一层刻蚀的图纸如果放大许多倍的话，可以和整个纽约市外加郊区范围的地图相比，甚至还要复杂，试想一下，把整个纽约地图缩小到实际面积大小只有100个平方毫米的芯片上，那么这个芯片的结构有多么复杂，可想而知了吧。
当这些刻蚀工作全部完成之后，晶圆被翻转过来。短波长光线透过石英模板上镂空的刻痕照射到晶圆的感光层上，然后撤掉光线和模板。通过化学方法除去暴露在外边的感光层物质，而二氧化硅马上在陋空位置的下方生成。
掺杂
在残留的感光层物质被去除之后，剩下的就是充满的沟壑的二氧化硅层以及暴露出来的在该层下方的硅层。这一步之后，另一个二氧化硅层制作完成。然后，加入另一个带有感光层的多晶硅层。多晶硅是门电路的另一种类型。由于此处使用到了金属原料(因此称作金属氧化物半导体)，多晶硅允许在晶体管队列端口电压起作用之前建立门电路。感光层同时还要被短波长光线透过掩模刻蚀。再经过一部刻蚀，所需的全部门电路就已经基本成型了。然后，要对暴露在外的硅层通过化学方式进行离子轰击，此处的目的是生成N沟道或P沟道。这个掺杂过程创建了全部的晶体管及彼此间的电路连接，没个晶体管都有输入端和e69da5e6ba90e799bee5baa6332输出端，两端之间被称作端口。
不是，主流的英特尔处理器会有20亿个晶体管，高端产品可以达到60亿个，采用光刻蚀技术；光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕，由此改变该处材料的化学特性。
扩展资料
工艺分类
刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。
刻蚀的机制，按发生顺序可概分为「反应物接近表面」、「表面氧化」、「表面反应」、「生成物离开表面」等过程。所以整个刻蚀，包含反应物接近、生成物离开的扩散效应，以及化学反应两部份。
整个刻蚀的时间，等于是扩散与化学反应两部份所费时间的总和。二者之中孰者费时较长，整个刻蚀之快慢也卡在该者，故有所谓「reaction limited」与「diffusion limited」两类刻蚀之分。
湿刻蚀
最普遍、也是设备成本最低的刻蚀方法。其影响被刻蚀物之刻蚀速e5a48de588b67a64364率 (etching rate) 的因素有三：刻蚀液浓度、刻蚀液温度、及搅拌 (stirring) 之有无。
定性而言，增加刻蚀温度与加入搅拌，均能有效提高刻蚀速率；但浓度之影响则较不明确。举例来说，以49%的HF刻蚀SiO2，当然比BOE (Buffered-Oxide- Etch；HF：NH4F =1：6) 快的多。
但40%的KOH刻蚀Si的速率却比20%KOH慢！ 湿刻蚀的配方选用是一项化学的专业，对于一般不是这方面的研究人员，必须向该化学专业的同侪请教。
一个选用湿刻蚀配方的重要观念是「选择性」(selectivity)，意指进行刻蚀时，对被蚀物去除速度与连带对其他材质 (如刻蚀掩膜；etching mask， 或承载被加工薄膜之基板；substrate ) 的腐蚀速度之比值。
参考资料：百度百科-刻蚀技术